可以达到0.01%的精度

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SelfAdaptSimulation.m

@@ -9,7 +9,7 @@ semi_lineDistance=257;%
 semi_lineCount=4;%分裂数
 ConductorX=[-14500,14500];%导线距地高度
 ConductorY=[16500,16500];%导线间距
-CSM_N=10;%每一个子导线的模拟电荷数
+CSM_N=80;%每一个子导线的模拟电荷数
 subconductorR=30;%子导线半径
 %%
 %设置电压
@@ -22,9 +22,9 @@ CSM_arc=2*pi/CSM_N;
 %子导线中心到导线中心的距离
 R=semi_lineDistance/2/sin(arc/2);
 %计算模拟电荷的位置
-r1=2;
+r1=20;
 error=10000;
-step=1/20;
+step=1/10;
 maxLoop=round((subconductorR-r1)/step);
 for Loop=1:maxLoop;
     simulationChargePos=ones(CSM_N,1);
@@ -60,11 +60,11 @@ for Loop=1:maxLoop;
     %求电荷
     QRI=P\Volt;
     %以下是验证部分
-    if error<0.01
+    if error<0.0001
         break;
     end
     %选检验导线上一个角度
-    vrfRelA=linspace(0,2*pi)';%vrf=verify
+    vrfRelA=linspace(0,2*pi,200)';%vrf=verify
     %计算检验点相对于子导线的位置
     vrfRelPos=exp(1j*vrfRelA)*subconductorR;
     %移动坐标，使验证的子导线中心和实际子导线中心重合。
@@ -80,10 +80,13 @@ for Loop=1:maxLoop;
     Pij=1/2/pi/eslong*log(vrf2MirrorDistance./vrf2ConductorDistance);
     %计算电压
     V=Pij*QRI;
-    error=sum(abs(V-500)./500)/length(V)
+    error=sum(abs(V-500)./500)/length(V);
     r1=r1+step;
 end
 display('Finished.');
+if Loop<maxLoop
+    display('Converged.');
+end
 display(Loop);
 scatter(real(simulationChargeAPos),imag(simulationChargeAPos),[],'r');
 hold on;