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19
SelfAdaptSimulation.m
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@ -18,7 +18,9 @@ arc=2*pi/semi_lineCount;
%子导线中心到导线中心的距离 %子导线中心到导线中心的距离
R=semi_lineDistance/2/sin(arc/2); R=semi_lineDistance/2/sin(arc/2);
%计算模拟电荷的位置 %计算模拟电荷的位置
r1=26; r1=0;
error=10000;
for I=1:100
simulationChargePos=ones(semi_lineCount,1); simulationChargePos=ones(semi_lineCount,1);
for I=1:semi_lineCount for I=1:semi_lineCount
simulationChargePos(I)=exp(1j*((I-1)*arc+arc/2))*(R+r1);%逆时针转一个角度 simulationChargePos(I)=exp(1j*((I-1)*arc+arc/2))*(R+r1);%逆时针转一个角度
@ -45,16 +47,23 @@ P=P1+P2;
%求电荷 %求电荷
QRI=P\Volt; QRI=P\Volt;
%以下是验证部分 %以下是验证部分
if error<0.01
break;
end
%选检验导线上一个角度 %选检验导线上一个角度
vrfRelA=0.0;%vrf=verify vrfRelA=[0.0;2*pi/6;2*pi/3;2*pi/1];%vrf=verify
%计算检验点相对于子导线的位置 %计算检验点相对于子导线的位置
vrfRelPos=exp(1j*vrfRelA)*r(1); vrfRelPos=exp(1j*vrfRelA)*r(1);
%移动坐标，使验证的子导线中心和实际子导线中心重合。 %移动坐标，使验证的子导线中心和实际子导线中心重合。
vrfPos=exp(1j*(0+arc/2))*R+ConductorX(1)+1j*ConductorY(1)+vrfRelPos; vrfPos=exp(1j*(0+arc/2))*R+ConductorX(1)+1j*ConductorY(1)+vrfRelPos;
%计算这一点的电位系数 %计算这一点的电位系数
vrf2ConductorDistance=abs(vrfPos-simulationChargePos); matVrfPos=repmat(vrfPos,1,length(simulationChargePos));
vrf2MirrorDistance=abs(vrfPos-conj(simulationChargePos)); vrf2ConductorDistance=abs(matVrfPos-repmat(conj(simulationChargePos'),length(vrfPos),1));
vrf2MirrorDistance=abs(matVrfPos-repmat(conj(conj(simulationChargePos')),length(vrfPos),1));
Pij=1/2/pi/eslong*log(vrf2MirrorDistance./vrf2ConductorDistance); Pij=1/2/pi/eslong*log(vrf2MirrorDistance./vrf2ConductorDistance);
%计算电压 %计算电压
V=Pij'*QRI; V=Pij*QRI;
error=sum(abs(V-500)./500);
r1=r1+r(1)/20;
end
% scatter(real([simulationChargeAPos;vrfPos]),imag([simulationChargeAPos;vrfPos])); % scatter(real([simulationChargeAPos;vrfPos]),imag([simulationChargeAPos;vrfPos]));