clc clear %% 自适应模拟电荷法 % [1]. 任巍巍, 孙.A.宗.A., 一种较准确的分裂导线表面场强计算方法. 电网技术, 2006(04): 第92-96页. % [2]. 陈习文, 特高压直流输电线路电磁环境的研究, 2012, 北京交通大学. %% %设置几个参数 semi_lineDistance=457;%分裂间距 semi_lineCount=4;%分裂数 ConductorX=[-13720,0,13720];%导线距地高度 ConductorY=[20830,20830,20830];%导线间距 CSM_N=80;%每一个子导线的模拟电荷数 subconductorR=29.95;%子导线半径 phaseN=3;%相数,单回三相 %% %设置电压 Volt_=[765/sqrt(3);765/sqrt(3)*exp(1j*4/3*pi);765/sqrt(3)*exp(1j*2/3*pi);]; Volt=[]; for vLoop=1:length(Volt_) Volt=[Volt;Volt_(vLoop)*ones(CSM_N*semi_lineCount,1);]; end %按分裂数和分裂导线间距布置单相线路导线 %用极坐标 arc=2*pi/semi_lineCount; CSM_arc=2*pi/CSM_N; %子导线中心到导线中心的距离 R=semi_lineDistance/2/sin(arc/2); %计算模拟电荷的位置 r1=20; error=10000; step=1/10; maxLoop=round((subconductorR-r1)/step); for Loop=1:maxLoop; simulationChargePos=ones(CSM_N,1); simulationChargeABCPos=[]; for I=1:CSM_N simulationChargePos(I)=exp(1j*((I-1)*CSM_arc+CSM_arc/2))*r1;%逆时针转一个角度 end for phaseLoop=1:phaseN for sC=1:semi_lineCount simulationChargeABCPos=[simulationChargeABCPos;simulationChargePos+ConductorX(phaseLoop)+1j*ConductorY(phaseLoop)+exp(1j*((sC-1)*arc+arc/2))*R];%移动到子导线中心 end end % simulationChargeAPos=simulationChargePos+ConductorX(1)+1j*ConductorY(1); % simulationChargeBPos=simulationChargePos+ConductorX(2)+1j*ConductorY(2); % simulationChargePos=simulationChargeABCPos; %计算电位系数 H=diag(imag(simulationChargeABCPos)); r=subconductorR*eye(length(imag(simulationChargeABCPos)));%导线自几何均距 %导线与导线的距离 matSimulationChargePos=repmat(simulationChargeABCPos,1,length(simulationChargeABCPos)); conductor2conductorDistance=matSimulationChargePos-conj(matSimulationChargePos'); conductor2conductorDistance=abs(conductor2conductorDistance-diag(diag(conductor2conductorDistance))); matMirrorChargePos=conj(matSimulationChargePos);%虚部取负号 conductor2MirrorDistance=matSimulationChargePos-conj(matMirrorChargePos'); conductor2MirrorDistance=abs(conductor2MirrorDistance-diag(diag(conductor2MirrorDistance))); eslong=8.854187817*10; P1=1/2/pi/eslong*log(2*H./r); P1(isnan(P1))=0; P2=1/2/pi/eslong*log(conductor2MirrorDistance./conductor2conductorDistance); P2(isnan(P2))=0; P=P1+P2; %求电荷 QRI=P\Volt; %以下是验证部分 if error<0.0001 break; end %选检验导线上一个角度 vrfRelA=linspace(0,2*pi,200)';%vrf=verify %计算检验点相对于子导线的位置 vrfRelPos=exp(1j*vrfRelA)*subconductorR; %移动坐标,使验证的子导线中心和实际子导线中心重合。 vrfPos=[]; for phaseLoop=1:phaseN for sC=1:semi_lineCount vrfPos=[vrfPos;exp(1j*((sC-1)*arc+arc/2))*R+ConductorX(phaseLoop)+1j*ConductorY(phaseLoop)+vrfRelPos]; end end %计算这一点的电位系数 matVrfPos=repmat(vrfPos,1,length(simulationChargeABCPos)); vrf2ConductorDistance=abs(matVrfPos-repmat(conj(simulationChargeABCPos'),length(vrfPos),1)); vrf2MirrorDistance=abs(matVrfPos-repmat(conj(conj(simulationChargeABCPos')),length(vrfPos),1)); Pij=1/2/pi/eslong*log(vrf2MirrorDistance./vrf2ConductorDistance); %计算电压 V=Pij*QRI; Vvalidation=[]; for phaseLoop=1:phaseN Vvalidation=[Vvalidation;Volt_(phaseLoop)*ones(semi_lineCount*200,1);]; end error=sum(abs((V-Vvalidation)./Vvalidation))/length(Vvalidation); r1=r1+step; end display('Finished.'); if Loop