diff --git a/SelfAdaptSimulation.m b/SelfAdaptSimulation.m
index 3489d36..99471e8 100644
--- a/SelfAdaptSimulation.m
+++ b/SelfAdaptSimulation.m
@@ -5,10 +5,10 @@ clear
 % [2].	陈习文, 特高压直流输电线路电磁环境的研究, 2012, 北京交通大学.
 %%
 %设置几个参数
-semi_lineDistance=20;%分裂间距
+semi_lineDistance=457;%分裂间距
 semi_lineCount=4;%分裂数
-ConductorX=[-9,9];%导线距地高度
-ConductorY=[14.5,14.5];%导线间距
+ConductorX=[-14500,14500];%导线距地高度
+ConductorY=[16500,16500];%导线间距
 %%
 %设置电压
 Volt=[500;500;500;500;-500;-500;-500;-500];
@@ -17,16 +17,8 @@ Volt=[500;500;500;500;-500;-500;-500;-500];
 arc=2*pi/semi_lineCount;
 %子导线中心到导线中心的距离
 R=semi_lineDistance/2/sin(arc/2);
-%每个子导线的坐标
-semi_linePos=ones(semi_lineCount,1);
-for I=1:semi_lineCount
-    semi_linePos(I)=exp(1j*((I-1)*arc+arc/2))*R;%逆时针转一个角度
-end
-semi_lineAPos=semi_linePos+20+1j*10;
-semi_lineBPos=semi_linePos-20+1j*10;
-semi_linePos=[semi_lineAPos;semi_lineBPos];
 %计算模拟电荷的位置
-r1=2;
+r1=26;
 simulationChargePos=ones(semi_lineCount,1);
 for I=1:semi_lineCount
     simulationChargePos(I)=exp(1j*((I-1)*arc+arc/2))*(R+r1);%逆时针转一个角度
@@ -36,7 +28,7 @@ simulationChargeBPos=simulationChargePos+ConductorX(2)+1j*ConductorY(2);
 simulationChargePos=[simulationChargeAPos;simulationChargeBPos];
 %计算电位系数
 H=diag(imag(simulationChargePos));
-r=0.03/2*eye(length(imag(simulationChargePos)));%导线自几何均距
+r=100*eye(length(imag(simulationChargePos)));%导线自几何均距
 %导线与导线的距离
 matSimulationChargePos=repmat(simulationChargePos,1,length(simulationChargePos));
 conductor2conductorDistance=matSimulationChargePos-conj(matSimulationChargePos');
@@ -44,11 +36,25 @@ conductor2conductorDistance=abs(conductor2conductorDistance-diag(diag(conductor2
 matMirrorChargePos=conj(matSimulationChargePos);%虚部取负号
 conductor2MirrorDistance=matSimulationChargePos-conj(matMirrorChargePos');
 conductor2MirrorDistance=abs(conductor2MirrorDistance-diag(diag(conductor2MirrorDistance)));
-eslong=1;
-P1=1/pi/eslong*log(2*H./r);
+eslong=8.854187817*10;
+P1=1/2/pi/eslong*log(2*H./r);
 P1(isnan(P1))=0;
-P2=1/pi/eslong*log(conductor2MirrorDistance./conductor2conductorDistance);
+P2=1/2/pi/eslong*log(conductor2MirrorDistance./conductor2conductorDistance);
 P2(isnan(P2))=0;
 P=P1+P2;
 %求电荷
-QRI=P\Volt;
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+QRI=P\Volt;
+%以下是验证部分
+%选检验导线上一个角度
+vrfRelA=0.0;%vrf=verify
+%计算检验点相对于子导线的位置
+vrfRelPos=exp(1j*vrfRelA)*r(1);
+%移动坐标，使验证的子导线中心和实际子导线中心重合。
+vrfPos=exp(1j*(0+arc/2))*R+ConductorX(1)+1j*ConductorY(1)+vrfRelPos;
+%计算这一点的电位系数
+vrf2ConductorDistance=abs(vrfPos-simulationChargePos);
+vrf2MirrorDistance=abs(vrfPos-conj(simulationChargePos));
+Pij=1/2/pi/eslong*log(vrf2MirrorDistance./vrf2ConductorDistance);
+%计算电压
+V=Pij'*QRI;
+% scatter(real([simulationChargeAPos;vrfPos]),imag([simulationChargeAPos;vrfPos]));
\ No newline at end of file